Micron开发的NVDRAM是一种基于铁电随机存取存储器（FeRAM）的非易失性动态随机存取存储器。与传统的以电荷为基础的存储器不同，FeRAM利用铁电材料（通常是钛酸锆铅）来存储信息。相比于常见的固态硬盘（SSD）所采用的NAND闪存，这项技术能够提供更快的数据访问速度和更高的耐久性。

与SSD类似，NVDRAM也具有非易失性特点，在电源关闭时仍然保留数据。但与SSD不同的是，即使没有SSD中普遍存在的磨损问题，FeRAM也能实现数据持久保存，并大幅延长使用寿命。

Micron将NVDRAM描述为“世界上首款双层、高效、高密度（32Gb），可堆叠且非易失性的铁电存储技术”，被广泛认为是该公司已停产Optane存储器之后推出的新产品。

尽管拥有如此令人印象深刻的特点，但由于FeRAM生产成本高昂，这项革命性技术在短期内不会面向消费者市场销售。

初始阶段，Micron将重点放在工业应用上，这些应用对快速、耐久和可靠的数据存储需求十分关键。Blocks & Files报道称：“我们可以想象Micron正在与潜在的服务器合作伙伴和大规模人工智能用户探索商业可能性。”

尽管如此，Micron进军FeRAM技术可能标志着数据存储技术发展过程中的重要里程碑，并有预期其将成为即将到来的未来的CXL访问下NVDRAM产品。